SI1012R-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1012R-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1012R-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Inventário:

166982 Pcs Novo Original Em Estoque
12912998
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SI1012R-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-75A
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Número do produto base
SI1012

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI1012R-T1-GE3DKR
SI1012RT1GE3
SI1012R-T1-GE3TR
SI1012R-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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