Número do Produto do Fabricante:
SI1012CR-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1012CR-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V SC75A
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Inventário:
90108 Pcs Novo Original Em Estoque
12912362
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SI1012CR-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
396mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
43 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
240mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-75A
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Número do produto base
SI1012
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SI1012CR-T1-GE3-DG
SI1012CR-T1-GE3CT
SI1012CR-T1-GE3DKR
SI1012CR-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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