Número do Produto do Fabricante:
IRLI620G
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRLI620G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12910766
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IRLI620G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2.4A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
IRLI620
Informação Adicional
Outros nomes
*IRLI620G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RCX081N20
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
147
NÚMERO DA PEÇA
RCX081N20-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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