Número do Produto do Fabricante:
IRL640PBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRL640PBF-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
3309 Pcs Novo Original Em Estoque
12939426
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IRL640PBF-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRL640
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-IRL640PBF-BE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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