IRFS9N60APBF
Número do Produto do Fabricante:

IRFS9N60APBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFS9N60APBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

294 Pcs Novo Original Em Estoque
12914668
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IRFS9N60APBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRFS9

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
*IRFS9N60APBF
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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