Número do Produto do Fabricante:
IRFR110PBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFR110PBF-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
2966 Pcs Novo Original Em Estoque
12978885
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IRFR110PBF-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IRFR110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-IRFR110PBF-BE3
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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