Número do Produto do Fabricante:
IRFD9010
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFD9010-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Descrição Detalhada:
P-Channel 50 V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventário:
12843555
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IRFD9010 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
50 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 580mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-HVMDIP
Pacote / Estojo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número do produto base
IRFD9010
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
*IRFD9010
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFD9010PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
312
NÚMERO DA PEÇA
IRFD9010PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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