Número do Produto do Fabricante:
IRFD113
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFD113-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventário:
12904839
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IRFD113 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-HVMDIP
Pacote / Estojo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número do produto base
IRFD113
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFD113PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2315
NÚMERO DA PEÇA
IRFD113PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.81
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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