Número do Produto do Fabricante:
IRFBG30PBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFBG30PBF-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
1589 Pcs Novo Original Em Estoque
12972684
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IRFBG30PBF-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
980 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRFBG30
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-IRFBG30PBF-BE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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