Número do Produto do Fabricante:
IRFBE30PBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFBE30PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
2597 Pcs Novo Original Em Estoque
12924620
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IRFBE30PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRFBE30
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
*IRFBE30PBF
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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