IRFBC20STRR
Número do Produto do Fabricante:

IRFBC20STRR

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFBC20STRR-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

12893197
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRFBC20STRR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRFBC20

Informação Adicional

Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRFBC20STRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
416
NÚMERO DA PEÇA
IRFBC20STRLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

vishay-semi-diodes

FA38SA50LC

MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

vishay-siliconix

IRFBC40

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRF740AL

MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK