Número do Produto do Fabricante:
IRFB9N60APBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFB9N60APBF-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
1024 Pcs Novo Original Em Estoque
12978089
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IRFB9N60APBF-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRFB9
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-IRFB9N60APBF-BE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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