IRFB11N50APBF-BE3
Número do Produto do Fabricante:

IRFB11N50APBF-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFB11N50APBF-BE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

2600 Pcs Novo Original Em Estoque
12975915
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IRFB11N50APBF-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRFB11

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-IRFB11N50APBF-BE3
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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