Número do Produto do Fabricante:
IRF830BPBF-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF830BPBF-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13 Pcs Novo Original Em Estoque
12945868
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF830BPBF-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
325 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF830
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-IRF830BPBF-BE3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI1424EDH-T1-BE3
MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
IRLZ34PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
SI1480DH-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
