Número do Produto do Fabricante:
IRF640STRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF640STRLPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
1572 Pcs Novo Original Em Estoque
12851753
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF640STRLPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF640
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF640STRLPBFDKR
IRF640STRLPBFTR
IRF640STRLPBF-DG
IRF640STRLPBFCT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF2804STRL7PP
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
RHK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
FDMS9409L-F085
MOSFET N-CH 40V 65A 8PQFN
