Número do Produto do Fabricante:
UF3C120080K3S
Product Overview
Fabricante:
Qorvo
DiGi Electronics Número da Peça:
UF3C120080K3S-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
17660 Pcs Novo Original Em Estoque
12967099
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UF3C120080K3S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
6V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
254.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
UF3C120080
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2312-UF3C120080K3S
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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