Número do Produto do Fabricante:
UF3C120080B7S
Product Overview
Fabricante:
Qorvo
DiGi Electronics Número da Peça:
UF3C120080B7S-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventário:
4979 Pcs Novo Original Em Estoque
12983074
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
UF3C120080B7S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
6V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
754 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
UF3C120080
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2312-UF3C120080B7STR
2312-UF3C120080B7SCT
2312-UF3C120080B7SDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
SSM3K341R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
RF4L040ATTCR
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
