UF3C120040K4S

Número do Produto do Fabricante:

UF3C120040K4S

Product Overview

Fabricante:

Qorvo

DiGi Electronics Número da Peça:

UF3C120040K4S-DG

Descrição:

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

Descrição Detalhada:

N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventário:

471 Pcs Novo Original Em Estoque

12930662

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UF3C120040K4S Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Qorvo

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Cascode SiCJFET)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

1200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

65A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 40A, 12V

vgs(th) (máx) @ id

6V @ 10mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 12 V

Vgs (máx.)

±25V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1500 pF @ 100 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

429W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-247-4

Pacote / Estojo

TO-247-4

Número do produto base

UF3C120040

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

UF3C120040K4S-DG

Informação Adicional

Outros nomes

2312-UF3C120040K4S

Pacote padrão

30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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