Número do Produto do Fabricante:
TP65H480G4JSG-TR
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H480G4JSG-TR-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
Inventário:
2915 Pcs Novo Original Em Estoque
12948221
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TP65H480G4JSG-TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
13.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
3-PowerTDFN
Número do produto base
TP65H480
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
1707-TP65H480G4JSG-TR
1707-TP65H480G4JSG-DKR
1707-TP65H480G4JSG-CT
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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