Número do Produto do Fabricante:
TP65H150LSG
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H150LSG-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventário:
13211486
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TP65H150LSG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
576 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-PQFN (8x8)
Pacote / Estojo
3-PowerDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1707-TP65H150LSG
Pacote padrão
60
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TP65H150G4LSG
FABRICANTE
Transphorm
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2939
NÚMERO DA PEÇA
TP65H150G4LSG-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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