Número do Produto do Fabricante:
TP65H070G4PS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H070G4PS-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
210 Pcs Novo Original Em Estoque
12992579
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TP65H070G4PS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Tube
Série
SuperGaN®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.7V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
638 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1707-TP65H070G4PS
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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