Número do Produto do Fabricante:
TP65H050WS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
DiGi Electronics Número da Peça:
TP65H050WS-DG
Descrição:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
327 Pcs Novo Original Em Estoque
13447512
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TP65H050WS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.8V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
119W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
TP65H050
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
AONR21305C
MOSFET P-CH 30V 8DFN
