Número do Produto do Fabricante:
XPN9R614MC,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
XPN9R614MC,L1XHQ-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventário:
13431 Pcs Novo Original Em Estoque
12939526
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XPN9R614MC,L1XHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
XPN9R614
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-XPN9R614MCL1XHQCT
XPN9R614MC,L1XHQ(O
264-XPN9R614MCL1XHQTR
264-XPN9R614MCL1XHQDKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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