Número do Produto do Fabricante:
TPWR8503NL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPWR8503NL,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
4927 Pcs Novo Original Em Estoque
12890308
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ENVIAR
TPWR8503NL,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6900 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Número do produto base
TPWR8503
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPWR8503NLL1QTR
TPWR8503NLL1QDKR
TPWR8503NL,L1Q(M
TPWR8503NLL1QCT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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