Número do Produto do Fabricante:
TPW5200FNH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPW5200FNH,L1Q-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
4822 Pcs Novo Original Em Estoque
12989816
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ENVIAR
TPW5200FNH,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPW5200FNH,L1QDKR
264-TPW5200FNHL1QTR-DG
264-TPW5200FNH,L1QCT
264-TPW5200FNHL1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR-DG
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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