Número do Produto do Fabricante:
TPW1R104PB,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPW1R104PB,L1XHQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventário:
12939635
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TPW1R104PB,L1XHQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.14mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4560 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DSOP Advance
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPW1R104
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPW1R104PBL1XHQTR
264-TPW1R104PBL1XHQCT
TPW1R104PB,L1XHQ(O
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TPH1R104PB,L1XHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7844
NÚMERO DA PEÇA
TPH1R104PB,L1XHQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.78
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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