Número do Produto do Fabricante:
TPN2R805PL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPN2R805PL,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventário:
4905 Pcs Novo Original Em Estoque
12890929
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TPN2R805PL,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
45 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 300µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3200 pF @ 22.5 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPN2R805
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPN2R805PL,L1QCT
264-TPN2R805PL,L1QDKR
264-TPN2R805PL,L1QTR
TPN2R805PLL1Q-DG
TPN2R805PLL1Q
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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