Número do Produto do Fabricante:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventário:
34748 Pcs Novo Original Em Estoque
12891567
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ENVIAR
TPN1110ENH,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPN1110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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