Número do Produto do Fabricante:
TPN11006PL,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPN11006PL,LQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventário:
7066 Pcs Novo Original Em Estoque
12920920
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ENVIAR
TPN11006PL,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1625 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPN11006
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
TPN11006PL,LQ(S
264-TPN11006PLLQCT
264-TPN11006PLLQTR
264-TPN11006PLLQDKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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