Número do Produto do Fabricante:
TPH3R70APL1,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH3R70APL1,LQ-DG
Descrição:
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventário:
9377 Pcs Novo Original Em Estoque
12927096
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ENVIAR
TPH3R70APL1,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6300 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
TPH3R70
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPH3R70APL1,LQCT
264-TPH3R70APL1LQCT
TPH3R70APL1,LQ(M
264-TPH3R70APL1,LQTR
264-TPH3R70APL1,LQDKR-DG
264-TPH3R70APL1LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQCT-DG
264-TPH3R70APL1,LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQTR-DG
264-TPH3R70APL1LQTR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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