Número do Produto do Fabricante:
TPH2R306NH1,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH2R306NH1,LQ-DG
Descrição:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventário:
11269 Pcs Novo Original Em Estoque
12964386
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TPH2R306NH1,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6100 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TPH2R306NH1LQDKR
TPH2R306NH1,LQ(M
264-TPH2R306NH1,LQTR
264-TPH2R306NH1LQCT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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