Número do Produto do Fabricante:
TPH2R306NH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPH2R306NH,L1Q-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventário:
2815 Pcs Novo Original Em Estoque
12890703
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TPH2R306NH,L1Q Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6100 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
TPH2R306
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPH2R306NHL1QDKR
TPH2R306NH,L1Q(M
TPH2R306NHL1QTR
TPH2R306NHL1QCT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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