Número do Produto do Fabricante:
TPCF8A01(TE85L)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPCF8A01(TE85L)-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventário:
12890975
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TPCF8A01(TE85L) Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSIII
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
590 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
330mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
TPCF8A01
Informação Adicional
Outros nomes
TPCF8A01CT
TPCF8A01(TE85L)CT
TPCF8A01FTR
TPCF8A01TE85LF
TPCF8A01(TE85L,F)
TPCF8A01TE85L
TPCF8A01(TE85L)DKR
TPCF8A01CTINACTIVE
TPCF8A01FDKR
TPCF8A01(TE85L)TR
TPCF8A01FCT-DG
TPCF8A01TRINACTIVE
TPCF8A01FCT
TPCF8A01TR-DG
TPCF8A01FTR-DG
TPCF8A01CT-DG
TPCF8A01(TE85L,F)-DG
TPCF8A01FDKR-DG
TPCF8A01TR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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