TPC8A05-H(TE12L,QM
Número do Produto do Fabricante:

TPC8A05-H(TE12L,QM

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TPC8A05-H(TE12L,QM-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

Inventário:

12891212
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TPC8A05-H(TE12L,QM Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSV-H
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número do produto base
TPC8A05

Informação Adicional

Outros nomes
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SI2304BDS-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
65573
NÚMERO DA PEÇA
SI2304BDS-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.09
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
DMN3016LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14193
NÚMERO DA PEÇA
DMN3016LSS-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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