Número do Produto do Fabricante:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventário:
12891894
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TPC8A02-H(TE12L,Q) Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1970 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número do produto base
TPC8A02
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
DMN3010LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2390
NÚMERO DA PEÇA
DMN3010LSS-13-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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NÚMERO DA PEÇA
IRF8113TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1665
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
0.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
0.50
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