TPC8115(TE12L,Q,M)
Número do Produto do Fabricante:

TPC8115(TE12L,Q,M)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TPC8115(TE12L,Q,M)-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)

Inventário:

12890452
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TPC8115(TE12L,Q,M) Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSIV
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9130 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número do produto base
TPC8115

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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