Número do Produto do Fabricante:
TPC8035-H(TE12L,QM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventário:
12891003
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TPC8035-H(TE12L,QM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSVI-H
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número do produto base
TPC8035
Informação Adicional
Outros nomes
TPC8035-HTE12LQMDKR
TPC8035HTE12LQM
TPC8035-HTE12LQMTR
TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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