TKR74F04PB,LXGQ
Número do Produto do Fabricante:

TKR74F04PB,LXGQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TKR74F04PB,LXGQ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 250A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)

Inventário:

2284 Pcs Novo Original Em Estoque
12976629
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TKR74F04PB,LXGQ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
250A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.74mOhm @ 125A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14200 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SM(W)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
TKR74F04

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
TKR74F04PB,LXGQ(O
264-TKR74F04PBLXGQCT
264-TKR74F04PBLXGQTR
264-TKR74F04PBLXGQDKR
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
renesas-electronics-america

RJK5030DPD-03#J2

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

diotec-semiconductor

2N7002W

MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5

renesas-electronics-america

HAT1044M-EL-E

HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE

renesas-electronics-america

2SK3483-Z-AZ

2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN