Número do Produto do Fabricante:
TK8P60W,RVQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK8P60W,RVQ-DG
Descrição:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
12890262
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TK8P60W,RVQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 400µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK8P60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK8P60W,RVQ(S
TK8P60WRVQDKR
TK8P60WRVQTR
TK8P60WRVQCT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SPD08N50C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
12211
NÚMERO DA PEÇA
SPD08N50C3ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.77
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
49
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1.41
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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1.22
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