Número do Produto do Fabricante:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK7J90E,S1E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventário:
25 Pcs Novo Original Em Estoque
12890324
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TK7J90E,S1E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
π-MOSVIII
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P(N)
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
TK7J90
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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