Número do Produto do Fabricante:
TK6R8A08QM,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK6R8A08QM,S4X-DG
Descrição:
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
40 Pcs Novo Original Em Estoque
12965739
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TK6R8A08QM,S4X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK6R8A08QM,S4X
TK6R8A08QM,S4X(S
264-TK6R8A08QM,S4X-DG
264-TK6R8A08QMS4X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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