Número do Produto do Fabricante:
TK60F10N1L,LXGQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK60F10N1L,LXGQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 205W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Inventário:
1750 Pcs Novo Original Em Estoque
12943582
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TK60F10N1L,LXGQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.11mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4320 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SM(W)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
TK60F10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK60F10N1LLXGQDKR
264-TK60F10N1LLXGQCT
264-TK60F10N1LLXGQTR
TK60F10N1L,LXGQ(O
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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