Número do Produto do Fabricante:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK5R1P08QM,RQ-DG
Descrição:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
15568 Pcs Novo Original Em Estoque
12967433
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK5R1P08QM,RQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSX-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN