TK32A12N1,S4X
Número do Produto do Fabricante:

TK32A12N1,S4X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK32A12N1,S4X-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventário:

100 Pcs Novo Original Em Estoque
12891193
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TK32A12N1,S4X Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK32A12

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2962(T6CANO,F,M

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14A65W5,S5X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK42A12N1,S4X

MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6