Número do Produto do Fabricante:
TK18E10K3,S1X(S
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK18E10K3,S1X(S-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12889644
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TK18E10K3,S1X(S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSIV
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TK18E10
Informação Adicional
Outros nomes
TK18E10K3S1XS
TK18E10K3S1X(S
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK110E10PL,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
171
NÚMERO DA PEÇA
TK110E10PL,S1X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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