Número do Produto do Fabricante:
TK170V65Z,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK170V65Z,LQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 150W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventário:
4950 Pcs Novo Original Em Estoque
12979130
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ENVIAR
TK170V65Z,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 730µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1635 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN-EP (8x8)
Pacote / Estojo
4-VSFN Exposed Pad
Número do produto base
TK170V65
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK170V65Z,LQTR-DG
264-TK170V65Z,LQCT-DG
264-TK170V65ZLQTR
264-TK170V65Z,LQCT
264-TK170V65Z,LQTR
264-TK170V65Z,LQDKR-DG
TK170V65Z,LQ(S
264-TK170V65Z,LQDKR
264-TK170V65ZLQCT
264-TK170V65ZLQDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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