Número do Produto do Fabricante:
TK160F10N1L,LXGQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK160F10N1L,LXGQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Inventário:
8900 Pcs Novo Original Em Estoque
12943588
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TK160F10N1L,LXGQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SM(W)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
TK160F10
Informação Adicional
Outros nomes
TK160F10N1L,LXGQ(O
264-TK160F10N1LLXGQTR
264-TK160F10N1LLXGQDKR
264-TK160F10N1LLXGQCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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