Número do Produto do Fabricante:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Descrição:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventário:
65 Pcs Novo Original Em Estoque
12890805
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK12Q60W,S1VQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 600µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
TK12Q60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK12Q60WS1VQ
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
