TK12E80W,S1X
Número do Produto do Fabricante:

TK12E80W,S1X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK12E80W,S1X-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220

Inventário:

12949829
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TK12E80W,S1X Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 570µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TK12E80

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
STP13N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
312
NÚMERO DA PEÇA
STP13N80K5-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK62J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P

diodes

DMPH6250SQ-13

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4N80CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220

taiwan-semiconductor

TSM1NB60CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251