TK110A10PL,S4X
Número do Produto do Fabricante:

TK110A10PL,S4X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK110A10PL,S4X-DG

Descrição:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventário:

31 Pcs Novo Original Em Estoque
12921004
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TK110A10PL,S4X Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 300µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2040 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK110A10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
TK110A10PL,S4X(S
264-TK110A10PLS4X
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

onsemi

FDPF12N50T

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F

vishay-siliconix

SIR688DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHU7N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 7A TO251